集成电路质量杂质检测

检测项目

1.材料本征纯度分析：硅片氧含量、碳含量、晶体缺陷密度、重金属本底浓度。

2.表面污染物检测：有机残留物、无机颗粒、金属离子污染、自然氧化层厚度与均匀性。

3.工艺引入金属杂质：铁、铜、镍、铬、钠、钾等碱金属及碱土金属离子。

4.颗粒污染与缺陷扫描：晶圆表面颗粒尺寸、数量、分布及晶体原生凹坑等缺陷。

5.气体杂质分析：晶格间隙氧、代位碳、氮含量，以及封装内部水汽含量、各种残留气体。

6.薄膜层杂质检测：栅氧层可动离子电荷、介质层金属污染物、金属互连线中的杂质掺杂。

7.化学试剂残留检测：刻蚀液、清洗剂、显影液等工艺化学品残留的阴离子与阳离子。

8.封装材料杂质分析：塑封料中的离子杂质、氯离子、溴离子含量，以及填料纯度。

9.键合与互连杂质：焊球、键合线中的杂质元素，界面金属间化合物成分与均匀性。

10.电学性能关联杂质分析：导致漏电流增大的金属杂质、影响阈值电压的界面态电荷。

11.放射性元素与α粒子源检测：封装及材料中可能引发软错误的微量放射性同位素含量。

检测范围

硅单晶抛光片、外延片、光刻掩模版、化学机械抛光后的晶圆、栅极氧化层、金属互连层、钨栓塞、铜互连线、钝化层、芯片切割道、单个集成电路裸片、各类陶瓷封装外壳、塑料封装体、环氧塑封料、芯片粘结材料、金丝与铜键合线、无铅焊球、底部填充胶、清洗用超纯水与高纯化学试剂、工艺腔体内部件

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于对材料表面及深度方向的微量元素进行定性与定量分析，检测灵敏度极高；可绘制杂质元素的二维及三维分布图。

2.全反射X射线荧光光谱仪：专门用于硅片等光滑表面痕量金属杂质的无损检测；能快速对多种金属污染进行同步分析。

3.电感耦合等离子体质谱仪：用于溶液样品或经消解处理后的固体样品中超痕量金属杂质的精确定量分析；检出限极低，覆盖元素范围广。

4.气相色谱-质谱联用仪：用于分析有机污染物、残留溶剂及封装内部释放的气体成分；具备高效的分离与准确的定性能力。

5.原子力显微镜：用于观测纳米尺度的表面形貌、颗粒污染及微观缺陷；可进行表面粗糙度的定量测量。

6.扫描电子显微镜及能谱仪：用于高分辨率观察缺陷形貌，并对其微区成分进行定性和半定量分析；可定位分析特定污染物。

7.热脱附-气相色谱质谱联用系统：用于检测材料表面吸附的挥发性及半挥发性有机污染物；通过程序升温实现污染物的脱附与鉴定。

8.激光扫描共聚焦显微镜：用于三维观察与测量表面颗粒、缺陷及薄膜厚度；具有出色的光学切片能力和高分辨率。

9.傅里叶变换红外光谱仪：用于分析材料的化学结构、键合状态，以及定量测定硅中间隙氧、代位碳等特定杂质的含量。

10.辉光放电质谱仪：用于块体材料从表面至内部深度方向的痕量及超痕量元素分析；可提供近乎全元素的深度分布信息。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.